硅烷等离子体清洗镀膜系统

发布时间: 2025-09-08 21:35:08    浏览次数:72

硅烷等离子体清洗镀膜系统先将反应腔抽至真空,排除空气杂质,然后按比例通入硅烷(SiH₄)等前驱体气体。通过射频电源在反应腔内施加电场,使气体分子电离形成等离子体。等离子体中的高能电子撞击气体分子,将其分解为带正电的离子、中性自由基等活性物种。这些活性物种在扩散、电场牵引等作用下,迁移到衬底表面并吸附,发生化学反应,如 SiH₃・之间结合形成 Si-Si 键,逐渐形成固态薄膜,未反应的气体和副产物则被真空系统抽走。


产品详情

一、 高度集成与多功能

清洗-镀膜一体化:在同一真空腔室内完成等离子体清洗和PECVD镀膜,避免了基底在转移过程中被空气污染,确保了界面的洁净和薄膜的优异附着力。

多工艺兼容:通过切换气体和工艺参数,可实现多种功能:

清洗:O₂等离子体去有机物,Ar等离子体物理溅射去无机物/活化表面。

镀膜:使用SiH+ NH/NO沉积氮化硅(SiN₄),使用SiH+ NO/O₂沉积二氧化硅(SiO₂)等。

二、 高精度过程控制

精确的气体控制:

配备多路高精度质量流量控制器(MFC),可精确、稳定地调节O₂、ArSiH₄、NH₃、NO等工艺气体的流量(通常精度达±1% FS)。

先进的等离子体控制:

采用射频(RF, 13.56 MHz)电源,射频功率可调范围宽,适应不同工艺需求(清洗需较高功率,成膜需优化功率以控制膜应力)。

精准的温度控制:

采用PID控温,温度控制精度可达15,确保成膜反应的均匀性和重复性。

三、 高效与自动化

程序化自动运行:

配备PLC或计算机控制系统,支持编写和存储多步工艺程序(Recipe)。

可自动完成“抽真空 → 清洗(进气、点火、计时)→ 排气 → 沉积(进气、升压、点火、加热、计时)→ 排气 → 冷却 → 破真空”等全过程,实现无人值守操作。

高重复性:自动化控制确保了不同批次、不同操作人员之间工艺结果的高度一致。

四、 安全性与可靠性

针对硅烷的特殊安全设计:

硅烷是剧毒、易燃、易爆气体。系统必须具备:

专用气路:使用经过认证的、防泄漏的管路和接头。

泄漏检测:配备硅烷气体探测器,实时监测环境泄漏。

五、 结构与维护

模块化设计:真空腔室、气体柜、电源、控制柜等常采用模块化设计,便于维护、升级和运输。

人机界面友好:配备触摸屏或计算机软件,操作界面直观,可实时监控工艺参数、报警信息和历史数据。

六、 性能特点

薄膜质量高:沉积的氮化硅/二氧化硅薄膜具有良好的均匀性、致密性、附着力和可控的应力(张应力/压应力)。

低温工艺:PECVD技术可在200-400的相对低温下沉积高质量薄膜,适用于不耐高温的基底。

产能灵活:可根据需求设计为单片、多片或在线式系统,适应研发、中试或小批量生产。

设备名称

硅烷等离子体清洗镀膜系统

设备型号

NBD-PECVD1200-100TID3ZYW-N

供电电源

380V 50HZ 三相五线制 频率:50Hz(PECVD:230V(单相) 尾气处理:380V(三相) )

额定功率

8KWPECVD4.5KW

加热元件

合金加热丝

炉膛控温精度

±1

传感器类型

K型热电偶φ2*420mm

Tmax

1200

额定温度:

1150

推荐升温速率

10/min

炉膛温区尺寸

φ150*295mm

炉管尺寸

石英管φ100*1200mm

电感线圈

内径110mm

射频功率

0300W可调

质量流量计1

S500 50SCCM 1/4VCR接头 氮气标定

质量流量计2

S500 100SCCM 1/4VCR接头 氮气标定

质量流量计3

S500 300SCCM 1/4VCR接头 氮气标定

前级泵

无油泵WY-16 抽气速率4.4L/s

分子泵:

NBD-103A 抽气速率110L/s

工作极限真空度

7×10-3Pa

炉体尺寸

1660*2020*900mm

尾气处理装置尺寸

2950*2200*820mm

控制系统

1、烧结工艺曲线设置:动态显示设置曲线,设备烧结可预存多条工艺曲线,每条工艺曲线可自由设置;

2、可预约烧结,实现无人值守烧结工艺曲线烧结;

3、实时显示烧结功率电压等信息并记录烧结数据,并可导出实现无纸记录;

4、具有实现远程操控,实时观测设备状态;

5、温度校正:主控温度和试样温度的差值,烧结全程进行非线性修正。

温度精度

+/- 1 ℃

加热元件

Mo掺杂的Fe-Cr-Al合金

真空度:10Pa(机械泵)

净重

280KG

设备使用注意事项

1、设备炉膛温度≥300℃时,禁止打开炉膛,避免受到伤害;

2、设备使用时,炉管内压力不得超过0.125MPa(绝对压力),以防止压力过大造成设备损坏;

3、真空下使用时,设备使用温度不得超过800℃。

4、供气钢瓶内部气压较高,向炉管内通入气体时,气瓶上必须安装减压阀,建议在选购试验用小压力减压阀,减压阀量程为0.01MPa-0.15MPa,使用时会更加精确安全。

5、当炉体温度高于1000℃时,炉管内不可处于真空状态,炉管内的气压需和大气压 相当,保持在常压状态;

6、高纯石英管的长时间使用温度≦1100℃

7、加热的实验时,不建议关闭炉管法兰端的抽气阀和进气阀使用。若需要关闭气阀对样品加热,则需时刻关注压力表的示数,绝对压力表读数不要大于0.15MPa,必须立刻打开排气端阀门,以防意外发生(如炉 管破裂,法兰飞出等)。


服务支持

一年有限保修,提供终身支持(保修范围内不包括易耗部件,例如处理管和O形圈,请在下面的相关产品处订购更换件。)


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