大口径(12英寸)均温扩散炉
发布时间: 2025-10-22 23:29:58 浏览次数:16
![]() | 设备核心特点 加热系统: 多温区独立控温:炉体沿轴向分为6–12个独立加热区,每区由独立的PID控制器精确调节。 - 高稳定性发热体:采用优质电阻丝或硅碳棒,老化慢,功率输出稳定。 测温与控制 高精度热电偶:直接监测各温区温度,精度±0.1℃。 - 先进的温度场算法:通过软件模型预测和补偿边缘效应、负载变化,动态优化各区功率分配。 气流与工艺腔室 - 优化的气流动力学设计:石英炉管内配备挡板、喷淋头或特殊结构,确保工艺气体(O₂, N₂, H₂等)均匀、层流地通过每一片晶圆。 - 大流量冲洗:快速置换气体,减少交叉污染,保证工艺重复性。 石英系统 - 高纯度合成石英:耐高温、低析出,避免金属污染。 - 精密舟/支架:确保晶圆间距一致,减少遮挡效应。 | |
设备名称 | 大口径真空扩散炉 | |
规格型号 | NBD-T1200-400T5D4ZY-435 | |
供电电源 | AC380V 50HZ | |
额定功率 | 65KW | |
温区数量 | 单温五控 | |
控温精度 | ±1℃ | |
传感器类型 | K型热电偶φ1*250mm | |
Tmax | 1200℃ | |
长期工作温度 | 1100℃ | |
推荐升温速率 | ≤20℃/min | |
炉膛温区尺寸 | Φ460*1625mm | |
炉管规格 | 石英管φ400*2400*5mm | |
质量流量控制器 | S500 2000SCCM φ6.35双卡套 2米空头线 氟橡胶密封 氮气标定 S500 10SLM φ6.35双卡套 2米空头线 氟橡胶密封 氮气标定 | |
恒压控制范围 | 100-90000Pa | |
进出气接口 | 进气口:φ6.35双卡套 出气口:φ12mm宝塔口 安全阀出气口:φ8mm宝塔口 抽真空口:KF40 | |
真空泵 | DRV60 KF40三相 | |
炉体尺寸 | 长3080(右侧托架完全打开长度3750)*高1838*深880mm | |
加热腔体 |
| 绝热材料:晶体纤维等 绝缘子:高纯刚玉,间距依据温场调节 端口过渡环:氧化铝纤维真空成型。 温区:3段、4段、5段、6段
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控制系统 | 1、烧结工艺曲线设置:动态显示设置曲线,设备烧结可预存多条工艺曲线,每条工艺曲线可自由设置; 2、可预约烧结,实现无人值守烧结工艺曲线烧结; 3、实时显示烧结功率电压等信息并记录烧结数据,并可导出实现无纸记录; 4、具有实现远程操控,实时观测设备状态; 5、温度校正:主控温度和试样温度的差值,烧结全程进行非线性修正。 | |
加热元件 | ![]()
| 采用优选加热丝:KANTHAL及HRE |
真空密封系统 | ![]() ![]() | 真空度:≤10Pa(机械泵) |
供气系统 | 采用质子流量计控制气体流速,与设备集成为一体; | |
温度精度 | ±1℃ | |
净重 | 约800KG | |
设备使用注意事项 | 1、装取样片必须带石棉手套,使用石英器件小心打碎; 2、选择合适的石英舟,取出清洁好的石英托板和石英拉钩; 3、安装样片插入到石英舟的槽内,用石英拉钩将石英舟推入炉管到恒温区; 4、炉管内压力不得超过0.15MPa(绝对压力),以防止压力过大引起危险; 5、高真空下使用时),设备使用温度不得超过1000℃; | |
服务支持 | 一年有限保修,提供终身支持(保修范围内不包括易耗部件,例如处理管和O形圈,请在下面的相关产品处订购更换件)。 |
一、 核心应用领域
集成电路(IC)制造
逻辑芯片(CPU, GPU, SoC):用于栅极氧化、阱区形成、源漏区掺杂等高温工艺。
存储芯片(DRAM, NAND Flash):用于电容介质层氧化、掺杂激活、高温退火等。
功率器件(IGBT, MOSFET):用于深结扩散、高温推阱、欧姆接触合金化。
分立器件制造
二极管、三极管、晶闸管等的P-N结形成、基区/发射区扩散和高温退火。
微机电系统(MEMS)
用于MEMS器件中牺牲层氧化、掺杂形成导电通路、高温释放等工艺。
光电子器件
某些光探测器、激光器的掺杂工艺和高温退火。
工艺类型 应用说明 热氧化(Thermal Oxidation) 在高温(900–1200°C)下通入氧气或水蒸气,在硅片表面生长高质量的二氧化硅(SiO₂)薄膜。 - 栅极氧化层:MOSFET的核心绝缘层。 - 场氧隔离:器件间的电学隔离。 高温扩散(High-Temperature Diffusion) 通入含杂质的气体(如B₂H₆, PH₃),在1000–1200°C下使硼、磷等原子扩散进入硅基底,形成: - P型/N型阱区 - 源极/漏极 - 基区/发射区 退火(Annealing) - 离子注入后退火:修复离子注入造成的晶格损伤,激活掺杂原子,使其进入电活性位置。 - 合金退火:使金属电极(如Al, Ti)与硅形成低电阻的欧姆接触。 化学气相沉积(CVD) 在相对较低温度下(相对于外延),沉积: - 多晶硅(用于栅极、电阻) - 氮化硅(Si₃N₄,用作钝化层、掩蔽层)
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地址:郑州·新郑·新华街道竹园8号
- {{item.cat}}
- {{item2.cat}}
- {{ isExpanded[index2] ? '收起' : '更多' }}
电话:400-000-3746