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均温氧化扩散炉 (Ⅰ型)

发布时间:2020-08-26  浏览次数:3731


设备简介:
  均温氧化扩散炉应用于半导体器件、分立器件、光电子器件、电力电子器件、太阳能电池及大规模集成电路制造等领域对晶片进行扩散、氧化、退火、合金及烧结等工艺,可用于2-8英寸工艺尺寸。





  


配置详情

 

设备特点:

 1.温场均匀,恒温区长度及精度:300~1250mm  800~1200℃±1℃

 2.具有强大的软件功能,NBD-101EP嵌入式操作系统,用户可以方便地修改工艺控制参数,并可随时显示各种工艺状态;配有故障自诊断软件; 
 3.程序可以实现手/自动工作,在停电或中途停机后,再次启动可以根据工艺手动升温,节省工艺时间; 
 4.具有多种工艺管路,可供用户方便选择; 
 5.冷端检测环境温度进行温度补偿,避免环境温度变化,对炉膛温度产生影响,避免层间干扰; 

 6.可存储多组PID参数供系统运行调用功能,具有多点温度补偿
 7.气体流量采用数字化精确控制,采用模拟信号闭环控制,强弱电分开,各种数据交互采用标准总线,提高抗干扰能力,保证数据安全;气体打开具有缓启动功能; 
 8.具有多种报警功能及安全保护功能;
 9.恒温区自动调整,串级控制,可准确控制反应管的实际工艺温度; 
 10.压力自动调整技术,将压力参数引入晶体硅氧化工艺,有效减小了尾部排风对工艺的干扰,减小由排风引起的工艺波动。

型号

T1200-250T3均温炉氧化扩散

可配工艺管外径

炉管外径152mm   适用于3";炉管外径252mm   适用于6";

炉管外径300mm   适用于8"

温度控制范围

300~1150 ℃

恒温区长度及精度

300~1250mm(依客户要求定)  300~800 ℃±1.5, 800~1100 ℃±1℃

可控升降温速率

升温速率:≦15/min  降温速率≦5/min

加热区个数

3区,4区,5区,6区(依客户要求定

送料方式

手动送料

冷却系统

水冷2-4Kgf/cm2,8L/min;+上接排风冷≈25m3/min;

轴向温场分布

 

径向温场分布

 

控制系统

1.烧结工艺曲线设置:动态显示设置曲线,设备烧结可预存多条工艺曲线,每条工艺曲线可自由设置;


2.可预约烧结,实现无人值守烧结工艺曲线烧结;
3.实时显示烧结功率电压等信息并记录烧结数据,并可导出实现无纸记录;
4.具有实现远程操控,实时观测设备状态;
5.温度校正:主控温度和试样温度的差值,烧结全程进行非线性修正



加热腔体

 


采用优质加热丝:KANTHAL及HRE

绝热材料:晶体纤维等

绝缘子:高纯刚玉间距依据温场调节

端口过渡环:氧化铝纤维真空成型。

温区:3段、4段、5段、6

 

真空密封系统

                   

真空度:≤10Pa(机械泵)

供气系统

采用质子流量计控制气体流速,与设备集成为一体

可选配项目

1、出料口排毒气柜;

2、净化出料台;

3、自动石英浆推拉舟机构

设备使用注意事项

1、装取样片必须带石棉手套,使用石英器件小心打碎;

2、选择合适的石英舟,取出清洁好的石英托板和石英拉钩;

3、安装样片插入到石英舟的槽内,用石英拉钩将石英舟推入炉管到恒温区;

4、炉管内压力不得超过0.15MPa(绝对压力),以防止压力过大引起危险

5高真空下使用时),设备使用温度不得超过1000℃

服务支持

一年有限保修,提供终身支持(保修范围内不包括易耗部件,例如炉管和密封圈等)

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