Gasb(锑化镓)单晶基片

产品名称

锑化镓(GaSb)晶体基片

技术参数

晶体结构：立方晶系

晶格常数：6.095Å

硬度（Mohs）4.5

密度：5.619 g/cm3

熔点：710℃

介电常数：15.7

热膨胀系数：6.1×10-6/oK

热导率：270 mW / cm.k at 300K

掺杂类型：N型掺Te；P型不掺杂

载流子浓度：1~2x10¹⁷    1~5x10¹⁶   1~5x10¹⁸  2~6x10¹⁷     1~5x10¹⁶

位错密度：<103 cm^-2

生长方法：LEC 

产品规格

常规晶向：  （100）、（110）、（111）

常规尺寸：dia2"x0.5mm、10x10x0.5mm、10x5x0.5mm   

抛光情况：单抛

表面粗糙度：<15A

注：尺寸及方向可按照客户要求定做。

晶体缺陷

人工生长单晶有可能存在晶体内部缺陷。

标准包装

1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装