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ZNO晶体基片

发表时间:1970-01-01 阅读:157次

ZnO晶体基片,化学式为ZnO,是一种直接带隙的宽禁带半导体材料。这种晶体具有优秀的物理性质和多样的功能,如发光、电光、闪烁等。特别的,ZnO晶体的导带底和价带顶都位于布里渊区中心 Γ 点处,室温下的带隙宽度(实验值)为3.376eV。

在具体应用方面,ZnO单晶基片是优良的ZnO、GaN外延薄膜和器件的关键基片材料,特别适用于短波长发光器件,例如LEDs和LDs。此外,ZnO还因其在可见光区域的透明性、大的机电耦合系数以及气体分子在其表面的吸附和解吸特性,有望用于高峰值能量的能量限制器。



产品名称

ZnO 晶体基片

技术参数

晶体结构:六方晶系 

晶格常数:a=3.325 Å  c=5.213 Å 

密度:5.605 g/cm3

晶体纯度:99.99%

介电常数:8.5

熔点:1975

莫氏硬度:4

热膨胀系数(10-6/K)6.5// a  3.7// c

热容:0.125(J /g.k)

透过波长:0.4~0.6um

热导率:30W/(m.k)  at300K

生长方式:水热法

产品规格

常规晶向:

常规尺寸:10x10x0.5mm10x10x1.0mm 20x20x0.5mm20x20x1.0mm 

晶体粗糙度:<5A

注:尺寸及方向可按照客户要求定做。

晶体缺陷

人工生长单晶都可能存在晶体内部缺陷。

标准包装

1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装


晶体材料咨询电话:199-5653-2471王经理

晶体制备相关设备   


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