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常见问题
发表时间:1970-01-01 阅读:157次
ZnO晶体基片,化学式为ZnO,是一种直接带隙的宽禁带半导体材料。这种晶体具有优秀的物理性质和多样的功能,如发光、电光、闪烁等。特别的,ZnO晶体的导带底和价带顶都位于布里渊区中心 Γ 点处,室温下的带隙宽度(实验值)为3.376eV。
在具体应用方面,ZnO单晶基片是优良的ZnO、GaN外延薄膜和器件的关键基片材料,特别适用于短波长发光器件,例如LEDs和LDs。此外,ZnO还因其在可见光区域的透明性、大的机电耦合系数以及气体分子在其表面的吸附和解吸特性,有望用于高峰值能量的能量限制器。
产品名称
ZnO 晶体基片
技术参数
晶体结构:六方晶系
晶格常数:a=3.325 Å c=5.213
Å
密度:5.605 g/cm3
晶体纯度:99.99%
介电常数:8.5
熔点:1975℃
莫氏硬度:4
热膨胀系数(10-6/K):6.5//
a 3.7// c
热容:0.125(J /g.k)
透过波长:0.4~0.6um
热导率:30W/(m.k) at300K
生长方式:水热法
产品规格
常规晶向:、、
常规尺寸:10x10x0.5mm、10x10x1.0mm 20x20x0.5mm、20x20x1.0mm
晶体粗糙度:<5A
注:尺寸及方向可按照客户要求定做。
晶体缺陷
人工生长单晶都可能存在晶体内部缺陷。
标准包装
1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装

晶体材料咨询电话:199-5653-2471王经理