Ga:ZnO晶体新一代宽禁带，直接带隙的多功能 II-V 族半导体材料，具有优秀的光电、压电、气敏、压敏等特性。

产品名称	Ga:ZnO晶体基片
技术参数	晶体结构：六方晶系
	晶格常数： a= 3.252 Å ,  c = 5.313 Å
	熔点：1975℃
	硬度：4 Mohs
	密度：~5.7 g/cm3
	带隙：3.37eV
	介电常数：8.5
	比热容：0.125 cal/gm
	导电性：N type
	导热系数：0.006 cal/cm/ oK
	热膨胀系数：2.90 x 10-6/oK
	位错密度：< 4 x 104 /cm2
产品规格	常规晶向：  (0001)
	常规尺寸：5x5x0.5mm、10x5x0.5mm、10x10x0.5mm
	表面粗糙度：<5A
	注：尺寸可按照客户要求定做。
晶体缺陷	人工生长单晶有可能存在晶体内部缺陷。
标准包装	1000级超净室100级超净袋真空包装

晶体材料咨询电话：199-5653-2471王经理