GaN(氮化镓)晶体

产品名称：

GaTe 单晶基片

技术参数：

电阻率:N/A

产品规格;

晶向:(0001)

尺寸:10x10x1.0mm

抛光情况:抛光，自然解理面

注:可按客户要求定制方向和尺寸

标准包装

标准包装:1000 级超净室，100级超净袋

产品名称

氮化镓(GaN)晶体基片

技术参数

晶体结构：六方晶系

晶格常数a= 3.186 Å ,  c = 5.186 Å 

 传导类型：N型掺Si；N型不掺杂

可用表面积：>90%

位错密度：（5-9）x105Ω.cm

电阻率：R<0.05 Ω.cm；R<0.1Ω.cm

介电常数：8.9

TTV：≤15um

密度：6.15（g/cm3）

生长方法：HVPE（氢化物气相外延法）

产品规格

常规晶向：  (0001)

常规尺寸：10.5x10x0.35mm、5x5x0.35mm

表面粗糙度：<5Å

注：尺寸可按照客户要求定做。

晶体缺陷

人工生长单晶有可能存在晶体内部缺陷。

标准包装

1000级超净室100级超净袋或单片盒装