GaAs（砷化镓）晶体

产品名称

砷化镓(GaAs)晶体基片

技术参数

晶体结构：立方晶系

晶格常数：a=5.6534Å

导电类型：N型掺Si；N型掺Te；不掺杂；P型掺Ga  

熔点：1237°C

禁带宽度:1.4电子伏

介电常数：13.1

位错密度：<5x103cm^2 等

迁移率：(3500-3600)cm2/vs 等

生长方法:VGF生产方法

产品规格

常规晶向： 、、

常规尺寸：10x10x0.35mm；dia2″x0.35mm；

抛光情况：单抛、双抛

表面粗糙度：<15A

注：尺寸及方向可按照客户要求定做。

晶体缺陷

人工生长单晶有可能存在晶体内部缺陷。

标准包装

1000级超净室100级超净袋