Ge（锗）晶体

产品名称

Ge晶体基片

技术参数

晶体结构：立方晶系

晶格常数：5.6754 Å

密度：5.323 g/cm3 

熔点：937.4 ℃

介电常数：16.2

热导率（w/m·k）：60.2

掺杂物质：不掺杂；掺Sb；掺In或Ga；

类型：N型 和 P型

电阻率 W·cm：>35  0.05  0.05-0.1

EPD:< 4x103/cm2    < 4x103/cm2   < 4x103/cm2  

生长方法：直拉法

产品规格

常规晶向：、、

晶向公差：±0.5°

常规尺寸：10x10x0.5mm，10x5x0.5mm,dia2",dia3"

抛光情况：单抛、双抛

表面粗糙度：< 5A

注：尺寸及方向可按照客户要求定做。

晶体缺陷

人工生长单晶有可能存在晶体内部缺陷。

标准包装

1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装