InAs（砷化铟）晶体基片

产品名称

砷化铟（InAs）晶体

技术参数

晶体结构：立方晶系

晶格常数：a=5.4505 Å

掺杂类型：不掺杂

导电类型：N

载流子浓度：2 ~ 5E16 / cm3 

迁移率：>18500cm2/V.S 

生长方法：CZ

产品规格

常规晶向： 

常规尺寸：2"x0.5mm  10x10x0.5mm

抛光情况：单抛  双抛

表面粗糙度：<15A

注：尺寸及方向可按照客户要求定做。

晶体缺陷

人工生长单晶有可能存在晶体内部缺陷。

标准包装

1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装。