InSb（锑化铟）晶体

产品名称

锑化铟(InSb)晶体基片

技术参数

晶体结构：立方晶

晶格常数：6.06 Å

硬度（Mohs）：3.8

密度：5.66g/cm³

熔点：942℃

掺杂：None;Te;Ge

导电类型：N型 和 P型

载流子浓度：1-5x10¹⁴   1-2x10¹⁵ 

 位错密度：<2x102 cm^-2

生长方法：FZ 或 LCE

产品规格

常规晶向：（100）

公差：±0.5º

常规尺寸：dia2"x0.5mm、10x10x0.5mm、10x5x0.5mm

抛光情况：单抛  双抛

表面粗糙度：<15Å

注：尺寸及方向可按照客户要求定做。

晶体缺陷

人工金属单晶存在常见晶体缺陷等。

标准包装

1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装。