产品名称

LaF3晶体基片

技术参数

晶体结构：三方晶系

晶格常数： a=7.190 Å   c=7.367 Å

纯度：99.99%

密度：5.936 g/cm3

硬度：4.5 Mohs

熔点：1493℃

生长方向：

热膨胀系数：11.9  x10-6/ K // c  15.8  x10-6/ K // a   

热导率：5.1 W / m.k @ 300K

光传输范围：Up to 10.5 micron wavelength 

折射率 no : 1.63   ne: 1.597  

生长方法：提拉法

产品规格

常规晶向： 、、 

常规尺寸：10x10x0.5mm

抛光情况：单抛、双抛

标准包装

1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装

晶体缺陷

人工生长单晶有可能存在晶体内部缺陷。