MoS2（二硫化钼）晶体

产品名称

MoS2 二硫化钼

天然技术参数

晶体结构：六方晶系

类型：天然

熔点：2375℃

纯度：>98％

外观：银白色

电导：半导体

带隙：块体MoS2间接带隙1.2 eV, 单层MoS2直接带隙 1.8 eV

常规尺寸：10 mm×10 mm ，20 mm×20 mm，15 mm×15 mm

人工技术参数

晶体结构：六方晶系

类型：CVD法人工合成

熔点：1185℃

纯度：>99.99％

外观：黑色/银灰色

电导：半导体

带隙：块体MoS2间接带隙1.2 eV, 单层MoS2直接带隙 1.8 eV

常规尺寸：~ 3x3x0.1 mm 面积≥10平方毫米

生长方法：分子外延，化学气相沉积，天然

晶格常数：a=b=3.15Å ,c=12.29Å,   α=β=90°,γ=120°

标准包装

1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装