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MgO:LiNbO3(掺镁铌酸锂)晶片

发表时间:1970-01-01 阅读:271次


MgO:LiNbO3晶片


纯同成份铌酸锂晶体的缺点是抗激光损伤阙值很低,这限制了它的应用领域。当掺入5mol%MgO后,所生长MgO:LN晶体的抗激光损伤阙值提高1-2个数量级,极化反转电压从21KV/mm降至6KV/mm,紫外吸收边紫移至310mm,OH-吸收峰红移至3535cm-1,这些变化极大的拓展了LN晶体的应用范围

产品名称

光学级掺镁铌酸锂(MgO:LiNbO3)晶片

产品规格

晶体结构:三方晶系

晶格常数:a=5.147Å  c=13.856Å

密度:4.7g/cm3

熔点:1253

生长方法:提拉法                         

产品规格:

常规晶向:Z cut

晶向公差:±0.5°

常规尺寸:10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm5x5x0.5mm

抛光情况:单抛、双抛、细磨

注:尺寸及方向可按照客户要求定做。

晶体缺陷:

人工生长单晶有可能存在晶体内部缺陷。

标准包装:

1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装

晶体材料咨询电话:199-5653-2471王经理

晶体制备相关设备   





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