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单工位无水氧高温CVD沉积还原一体机

发布时间: 2026-01-21    浏览次数:2196

   单工位无水氧高温CVD沉积还原一体机是一款专为高纯材料制备设计的一体化精密工艺设备,集成真空无水氧环境构建、高温热处理、化学气相沉积、原位还原改性功能于一体。设备采用独立单工位密闭腔体结构,可有效隔绝水汽、氧气杂质,实现高洁净工艺氛围,搭配精准的温度、气压与气体流量控制系统,能够完成高精度薄膜沉积、粉体还原、表面改性等系列工艺,具备控温精准、工艺稳定性高、重复性好、操作灵活的特点,适配小批量精密制备与新材料研发场景。   该设备应用场景覆盖多个前沿高端材料领域。半导体领域,可用于宽禁带半导体、晶圆薄膜、金属薄膜的沉积与还原处理,优化器件电学性能。新能源领域,适用于锂电池电极修饰、光伏功能涂层、氢能催化材料的制备改性,有效提升材料储能与催化效率。同时可满足航空航天耐高温防护涂层、精密光学功能薄膜、特种先进陶瓷的研发制备需求,广泛应用于高校科研、新材料实验室、高端电子元器件企业的精密研发与小批量生产,是高端功能性材料研制的核心专用设备。

  

产品详情
应用领域
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设备特点:

1. 惰性气氛无水氧操作平台
  · 功能:作为整个系统的操作中枢与环境屏障。内部充满高纯惰性气体(如Ar、N₂),并配备净化循环系统,维持腔体内持续的超低水氧含量。
  · 作用:在此环境中,可安全地进行对空气敏感原料的称量、混合、装填,以及反应后产物的取出、破碎、表征样品制备及真空封装等所有手动操作。它同时是连接管式炉与电解炉的“洁净走廊”,实现物料的安全传递。
2. 高温CVD蒸发沉积系统
  · 功能:提供精确可控的高温CVD环境。

  · 作用:主要用于材料的预烧结、还原、蒸发及CVD沉积等工艺,或某些对气氛要求严苛的固相合成反应。物料在手套箱中装填入反应仓,可直接在同气氛环境下进行高温处理,冷却后无需暴露即可转移至下一步,保证了材料在特定相结构或价态下的纯净度。


设备名称

   单工位无水氧高温CVD沉积还原一体机

规格型号

          NBD-T16/15/1200-60TP2gD3ZW-N

熔盐电解炉

供电电源

220V 50HZ

额定功率

3.5KW

控温精度

±1℃

加热元件

合金电阻丝

传感器类型

K型热电偶

最高温度

1200℃

额定温度

1150℃

推荐升温速率

≤10℃/min

反应腔体选择

Φ60/80/100/120/150/215

反应腔体温度选择

<1650℃/<1450℃/<1150℃

反应腔体材质选择

高纯石英/不锈钢/刚玉

流量计类型选择

浮子流量计/质子流量计

控制系统

1、烧结工艺曲线设置:动态显示设置曲线,设备烧结可预存多条工艺曲线,每条工艺曲线可自由设置;

2、可预约烧结,实现无人值守烧结工艺曲线烧结;

3、实时显示烧结功率电压等信息并记录烧结数据,并可导出实现无纸记录;

4、具有实现远程操控,实时观测设备状态;

5、温度校正:主控温度和试样温度的差值,烧结全程进行非线性修正。

预约烧结
优化设备利用率、保障烧结工艺稳定性、节省等待时间,实现高效有序的样品制备。
可预设多组工艺程序可预设多组实验专属温度程序、保障实验重复性与操作便捷性,支持工艺优化与数据追溯,适配团队协作与技术传承,大幅提升实验效率与设计灵活性。
非线性温度补偿通过算法非线性修正控温点与样品由于在温场中位置不同而产生的温度偏差,提升控制温度与样品温度的一致性、简化操作,提升实验数据准确。
              压力测量与监控

采用机械压力表,表外壳为气密型结构,能有效保护内部机件免受环境影响和杂物侵入,同时具有较强的耐腐蚀和耐高温的能力。


       无水氧高温CVD沉积还原一体机是集成真空无水氧氛围、高温热处理、气相沉积、原位还原的高端精密设备,可杜绝水氧杂质污染,实现高纯度、高均匀性的材料制备与改性,适配各类严苛高温真空工艺,广泛应用于多个前沿高端领域。
   半导体领域,设备用于碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体薄膜沉积与缺陷还原,保障芯片晶圆的高纯度与电学稳定性。新能源领域,主要服务锂电池、光伏、氢能材料制备,可对电极材料、催化涂层进行改性还原,提升储能与催化性能。
   同时,设备适用于航空航天耐高温涂层、高精度光学功能薄膜、先进陶瓷材料的制备改性,也可满足高校、科研院所对新型纳米材料、特种功能材料的研发实验需求,是高端新材料研发与量产的核心工艺设备。
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