发布时间: 2024-03-16 浏览次数:2764
产品名称 锗酸铋(Bi4Ge3O12)晶体基片 技术参数 晶体结构:立方晶系 晶格常数:a=10.518Å 纯度:>99.99% 密度:7.12g/cm3 硬度:5( mohs) 熔点:1050 ℃ 透过范围:350~5500nm 电光系数 : r41=1.03x10-12m/V 折射率: 2.098@ 632.8nm 激发光谱: 305nm 临界能量: 10.5Mev 能量分辨率: 20%511 keV @ 生长方法:提拉法 产品规格 常规晶向:(100) 晶向公差:±0.5° 内常规尺寸:10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm,5x5x0.5mm 抛光情况:单抛、双抛 抛光面粗糙度:Ra<5A 注:可按照客户要求加工尺寸和晶向。 晶体缺陷 人工生长单晶都可能存在晶体内部缺陷。 标准包装 1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装
晶体材料咨询电话:199-5653-2471王经理