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InAs（砷化铟）晶体基片

发布时间： 2024-03-30 浏览次数：1522

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应用案例

产品名称	砷化铟（InAs）晶体
技术参数	晶体结构：立方晶系
	晶格常数：a=5.4505 Å
	掺杂类型：不掺杂
	导电类型：N
	载流子浓度：2 ~ 5E16 / cm3
	迁移率：>18500cm2/V.S
	生长方法：CZ
产品规格	常规晶向：
	常规尺寸：2"x0.5mm 10x10x0.5mm
	抛光情况：单抛双抛
	表面粗糙度：<15A
	注：尺寸及方向可按照客户要求定做。
晶体缺陷	人工生长单晶有可能存在晶体内部缺陷。
标准包装	1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装。

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