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MoS2(二硫化钼)晶体

发布时间: 2024-04-12    浏览次数:1885

产品介绍:

  

产品详情
应用领域
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应用案例

产品名称

MoS2 二硫化钼

天然技术参数

晶体结构:六方晶系

类型:天然

熔点:2375

纯度:>98

外观:银白色

电导:半导体

带隙:块体MoS2间接带隙1.2 eV, 单层MoS2直接带隙 1.8 eV

常规尺寸:10 mm×10 mm 20 mm×20 mm15 mm×15 mm

人工技术参数

晶体结构:六方晶系

类型:CVD法人工合成

熔点:1185

纯度:>99.99

外观:黑色/银灰色

电导:半导体

带隙:块体MoS2间接带隙1.2 eV, 单层MoS2直接带隙 1.8 eV

常规尺寸:~ 3x3x0.1 mm 面积≥10平方毫米

生长方法:分子外延,化学气相沉积,天然

晶格常数:a=b=3.15Å ,c=12.29Å, α=β=90°,γ=120°

标准包装

1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装



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