产品名称

MoTe2二碲化钼

技术参数

类型：CVD法人工合

成纯度：>99.99％

外观：黑色

电导：半导体

带隙：块体直接带隙 0.8 eV，单层直接带隙 1.24 eV

常规尺寸：~ 3x3x0.1 mm 面积≥10平方毫米

晶体结构：六方晶系

生长方法：化学气相传输

晶体常数：a=b=3.83Å   c=13.96Å  α=β=90°  γ=120°

标准包装

1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装