Si晶体基片

产品名称

Si 单晶基片

技术参数

晶体结构：立方晶系

晶格常数：a=5.4301 Å 

掺杂类型：N型不掺杂、N型掺P、N型掺As、N型掺Sb、P型掺B       

硬度（mohs):6.5

电阻率：10000～0.001Ω.cm

超导率（w/m.k):149

密度：2.329（g/cm3）

熔点：1414℃

热膨胀系数（/k):2.6×10-6

生长方法：CZ和FZ

产品规格

常规晶向

常规尺寸：Dia4”x0.5mm、dia2”x0.5mm 

抛光情况：单抛、双抛、细磨

抛光面粗糙度：< 10A

注：尺寸及方向可按照客户要求定做。

晶体缺陷

人工生长单晶都可能存在晶体内部缺陷.

标准包装

1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装