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均温氧化扩散炉 (Ⅰ型)

发布时间: 2020-08-26    浏览次数:5857

设备简介:均温氧化扩散炉应用于半导体器件、分立器件、光电子器件、电力电子器件、太阳能电池及大规模集成电路制造等领域对晶片进行扩散、氧化、退火、合金及烧结等工艺,可用于2-8英寸工艺尺寸。

  

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应用领域
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设备特点:

1.温场均匀,恒温区长度及精度:300~1250mm  800~1200℃±1℃

2.具有强大的软件功能,NBD-101EP嵌入式操作系统,用户可以方便地修改工艺控制参数,并可随时显示各种工艺状态;配有故障自诊断软件;
3.程序可以实现手/自动工作,在停电或中途停机后,再次启动可以根据工艺手动升温,节省工艺时间;
4.具有多种工艺管路,可供用户方便选择;
5.冷端检测环境温度进行温度补偿,避免环境温度变化,对炉膛温度产生影响,避免层间干扰;

6.可存储多组PID参数供系统运行调用功能,具有多点温度补偿
7.气体流量采用数字化精确控制,采用模拟信号闭环控制,强弱电分开,各种数据交互采用标准总线,提高抗干扰能力,保证数据安全;气体打开具有缓启动功能;
8.具有多种报警功能及安全保护功能;
9.恒温区自动调整,串级控制,可准确控制反应管的实际工艺温度;
10.压力自动调整技术,将压力参数引入晶体硅氧化工艺,有效减小了尾部排风对工艺的干扰,减小由排风引起的工艺波动。

型号

T1200-250T3均温炉氧化扩散

可配工艺管外径

炉管外径152mm   适用于3";炉管外径252mm   适用于6";

炉管外径300mm   适用于8"

温度控制范围

300~1150 ℃

恒温区长度及精度

300~1250mm(依客户要求定) 300~800 ℃±1.5, 800~1100 ℃±1℃

可控升降温速率

升温速率:≦15/min  降温速率≦5/min

加热区个数

3区,4区,5区,6区(依客户要求定

送料方式

手动送料

冷却系统

水冷2-4Kgf/cm2,8L/min;+上接排风冷≈25m3/min;

轴向温场分布


径向温场分布

控制系统

1.烧结工艺曲线设置:动态显示设置曲线,设备烧结可预存多条工艺曲线,每条工艺曲线可自由设置;

2.可预约烧结,实现无人值守烧结工艺曲线烧结;3.实时显示烧结功率电压等信息并记录烧结数据,并可导出实现无纸记录;4.具有实现远程操控,实时观测设备状态;5.温度校正:主控温度和试样温度的差值,烧结全程进行非线性修正


预约烧结

优化设备利用率、保障烧结工艺稳定性、节省等待时间,实现高效有序的样品制备。

远程控制

可通过电脑、手机等终端,随时随地登录控制系统查看加热炉运行状态(温度、压力、升温速率等),并根据实验需求远程调整参数、启动 / 暂停程序。夜间或节假日无需往返实验室,即可应对实验过程中的参数微调需求;跨地域出差时也能实时监控关键实验进程,大幅减少无效通勤时间,让科研人员更高效地分配工作精力。

实验数据存储

保障数据安全完整、规范化管理与高效检索。

可预设多组工艺程序

可预设多组实验专属温度程序、保障实验重复性与操作便捷性,支持工艺优化与数据追溯,适配团队协作与技术传承,大幅提升实验效率与设计灵活性。

非线性温度补偿

通过算法非线性修正控温点与样品由于在温场中位置不同而产生的温度偏差,提升控制温度与样品温度的一致性、简化操作,提升实验数据准确。

加热腔体


采用优质加热丝:KANTHAL及HRE

绝热材料:晶体纤维等

绝缘子:高纯刚玉间距依据温场调节

端口过渡环:氧化铝纤维真空成型。

温区:3段、4段、5段、6


真空密封系统

 

真空度:≤10Pa(机械泵)

供气系统

采用质子流量计控制气体流速,与设备集成为一体

可选配项目

1、出料口排毒气柜;

2、净化出料台;

3、自动石英浆推拉舟机构

设备使用注意事项

1、装取样片必须带石棉手套,使用石英器件小心打碎;

2、选择合适的石英舟,取出清洁好的石英托板和石英拉钩;

3、安装样片插入到石英舟的槽内,用石英拉钩将石英舟推入炉管到恒温区;

4、炉管内压力不得超过0.15MPa(绝对压力),以防止压力过大引起危险

5高真空下使用时),设备使用温度不得超过1000℃

服务支持

一年有限保修,提供终身支持(保修范围内不包括易耗部件,例如炉管和密封圈等) 

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