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发布时间： 2024-02-03 浏览次数：2291
设备简介：此设备是为高等院校，科研院所及工矿企业对金属、非金属及其它化合物材料在气氛状态下进行烧结、沉积、分析而研制的专用设备，它采用PLC控制，触摸屏操作。由烧结系统、电控系统、真空系统、进出气系统组成。
| 设备特点： 1、采用特殊炉膛结构，温度均匀性较一般炉型好。 2、控制稳定可靠，操作方便，安全防护措施完善。 3、采用先进的PID自学习模糊控制，控温精度高，保持在±1℃。 4、炉衬采用高纯氧化铝轻质纤维材料，保温效果更好，节能降耗。 5、具有物联网功能（WIFI），可通过手机、电脑远程对设备进行监控，操作。 6、数据存储功能，可保存烧结的重要参数，时长达30天之久（每天开机8小时）。 7、配方功能，可预存配方100条以上。 8、特有的质量流量计额定流量转换功能，通过选择不同的气体种类，系统自动转换为该气体对应的额定流量，使数据更加准确。 9、联网功能，通过RJ45接口，采用TCP/IP协议，可以让系统与上位机相连（上位机需安装相应软件）。 | ||||||
设备型号 | NBD-T1200-215T3D3ZY | ||||||
Tmax | 1200℃ | ||||||
电气规格 | 三相380V 50HZ | ||||||
额定功率 | 25KW | ||||||
长期使用温度范围 | 300~1150℃ | ||||||
升温速率 | 1℃/H-20℃/Min | ||||||
加热元件 | 优质铁铬铝合金丝 | ||||||
送料方式 | 手动送料 | ||||||
测温元件类型 | K型热电偶 420mm | ||||||
石英管尺寸 | 外φ215*1660mm（壁厚5mm） | ||||||
炉膛内尺寸 | Φ250*1400mm | ||||||
恒温区尺寸 | Φ200*1300mm | ||||||
炉管材质 | 高纯石英 | ||||||
三路质量流量控制（MFC） | 2000ml/min,2000ml/min,10000ml/min | ||||||
炉体尺寸 | 长2300（3080）高1850mm *深940* | ||||||
升温速率 | 1℃/H-20℃/Min | ||||||
重量 | 550kg | ||||||
控制系统 |
| 1、烧结工艺曲线设置：动态显示设置曲线，设备烧结可预存多条工艺曲线，每条工艺曲线可自由设置； 2、可预约烧结，实现无人值守烧结工艺曲线烧结； 3、实时显示烧结功率电压等信息并记录烧结数据，并可导出实现无纸记录； 4、具有实现远程操控，实时观测设备状态； 5、温度校正：主控温度和试样温度的差值，烧结全程进行非线性修正。 | |||||
| 预约烧结 |  | 优化设备利用率、保障烧结工艺稳定性、节省等待时间，实现高效有序的样品制备 | |||||
| 实验数据存储 |  | 保障数据安全完整、规范化管理与高效检索 | |||||
| 非线性温度修正 |  | 通过算法非线性修正控温点与样品由于在温场中位置不同而产生的温度偏差，提升控制温度与样品温度的一致性、简化操作，提升实验数据准确。 | |||||
| 20组工艺曲线设置 |  | 可预设多类实验专属温度程序、保障实验重复性与操作便捷性，支持工艺优化与数据追溯，适配团队协作与技术传承，大幅提升实验效率与设计灵活性。 | |||||
| 远程操作 |
| 可通过电脑、手机等终端，随时随地登录控制系统查看加热炉运行状态（温度、压力、升温速率等），并根据实验需求远程调整参数、启动 / 暂停程序。夜间或节假日无需往返实验室，即可应对实验过程中的参数微调需求；跨地域出差时也能实时监控关键实验进程，大幅减少无效通勤时间，让科研人员更高效地分配工作精力。 | |||||
加热元件 |  | Mo掺杂的Fe-Cr-Al合金 | |||||
设备细节 |
加热腔体 |
进料口 | |||||
压力测量与监控 |  | 采用机械压力表，表外壳为气密型结构，能有效保护内部机件免受环境影响和杂物侵入，同时具有较强的耐腐蚀和耐高温的能力。 | |||||
浮子流量计 |  | 采用浮子流量计控制气体流速，与设备集成为一体，且出厂前已进行漏气测试工作。 | |||||
弱腐蚀性气体预热器 （可选配） |
| 通体采用316L材料，对于各种气体以及腐蚀性气体的预加热处理，满足特殊的工艺需求，最高温度达600℃。 | |||||
控温精度 | ±1℃ | ||||||
加热元件 | Mo掺杂的Fe-Cr-Al合金 | ||||||
流程控制界面 |
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设备使用注意事项 | 1、设备炉膛温度≥300℃时，禁止打开炉膛，避免受到伤害； 2、设备使用时，炉管内压力不得超过0.125MPa（Absolute压力），以防止压力过大造成设备损坏 3、真空下使用时，设备使用温度不得超过800℃。 4、供气钢瓶内部气压较高，向炉管内通入气体时，气瓶上须安装减压阀，建议在选购试验用小压力减压阀，减压阀量程为0.01MPa-0.15MPa,使用时会更加精确安全。 5、当炉体温度高于1000℃时，炉管内不可处于真空状态，炉管内的气压需和大气压 相当，保持在常压状态； 6、高纯石英管的长时间使用温度≦1100℃ 7、加热的实验时，不建议关闭炉管法兰端的抽气阀和进气阀使用。若需要关闭气阀对样品加热，则需时刻关注压力表的示数，Absolute压力表读数不要大于0.15MPa，须立刻打开排气端阀门，以防意外发生（如炉 管破裂，法兰飞出等）。 | ||||||
服务支持 | 一年有限保修，提供终身支持（保修范围内不包括易耗部件，例如处理管和O形圈，请在下面的相关产品处订购更换件。） | ||||||
硅片 / 晶圆扩散掺杂
磷（P）、硼（B）、砷（As）等杂质高温扩散，形成PN 结、发射极、基区、源漏。
多温区保证整管晶圆方阻均匀、结深一致，适配 8/12 英寸产线。
氧化与退火
干氧 / 湿氧氧化生长高质量栅氧、场氧薄层。
离子注入后高温退火：激活掺杂、修复晶格缺陷、降低漏电。
薄膜退火与合金化
金属硅化物（如 TiSi₂）、接触电极合金退火。
介质膜（SiO₂、SiNx）致密化退火。
晶体硅电池（P/N 型）
磷扩散（P 型硅）：形成发射极与前 PN 结。
硼扩散（N 型硅 / TOPCon）：形成背表面场（BSF）或隧穿氧化层掺杂。
多温区保障整片 / 整管方阻均匀（±1% 内），提升转换效率与良率。
TOPCon、HJT、IBC 先进电池
硼扩、磷扩、氧化层退火、原位掺杂。
低压 / 真空多温区扩散：少子寿命高、结深浅、均匀性好。
Ⅲ-Ⅴ 族器件
GaAs：Zn、Si 扩散，制备发光管、激光器、微波器件。
InP：Fe、Zn 掺杂，光电探测器、光纤通信芯片。
宽禁带半导体（SiC/GaN）
N/P 型掺杂（N、Al、B）、高温退火激活。
氧化 / 界面退火：制备 SiC MOSFET、GaN HEMT。
IGBT、MOSFET、晶闸管、二极管
终端扩散（硼 / 磷）、场环、结终端延伸（JTE）。
** 高温退火（1000–1200℃）** 稳定结构、提升耐压与可靠性。
正极材料（NCM、LFP、钴酸锂）
分段烧结 / 热处理：多温区精准控温，优化晶粒、比容量、循环寿命。
负极 / 固态电解质
碳材料石墨化、硫化物 / 氧化物固态电解质退火。
催化剂研发
梯度活化、多温度段同步评价，快速筛选工艺条件。
气敏 / 热敏陶瓷、压电材料
掺杂扩散、气氛烧结、缺陷调控，提升灵敏度与稳定性。
材料科学、物理、化工：扩散、氧化、退火、烧结、 CVD 基础研究。
小批量试样 / 大尺寸基板：工艺验证、参数优化、中试放大。
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