发布时间： 2026-01-14 浏览次数：435
面向高结晶质量薄膜、宽禁带半导体与先进陶瓷涂层的尖端材料合成平台，高温CVD系统是指工作温度 ≥1000°C（通常 1000–1700°C）的化学气相沉积设备，通过高温激活前驱体气体，在基底表面发生热分解或化学反应，生成高致密、高纯度、高结晶性的功能薄膜或涂层、
| 设备特点： 与常规CVD的本质区别：无需等离子体辅助（纯热驱动），避免离子损伤； 原子迁移率高 → 薄膜结晶完整、缺陷少； 适用于高熔点材料（如 SiC、GaN、金刚石、BN）。 | ||
设备名称 | 管式炉 | ||
规格型号 | NBD-T1500-80TI | ||
供电电源 | 单相220V 50HZ | ||
额定功率 | 3.0KW | ||
控温精度 | ±1℃ | ||
加热元件 |
| 高纯硅碳棒 | |
传感器类型 | S型热电偶 | ||
Tmax | 1500℃ | ||
长期工作温度 | 1450℃ | ||
推荐升温速率 | ≤10℃/min | ||
炉膛温区尺寸 | Φ150*310mm | ||
炉管规格 | 刚玉管φ80*1000mm(内径70mm) | ||
进气控制 | 一路浮子流量计20-200ml/min | ||
自动混气柜 | 供电电源：AC220V 50HZ 两路质量流量计：3L/min 真空泵类型：DRV5 KF25接口 | ||
炉体尺寸 | 管式炉：长1140*高740*深580mm 自动混气柜：长1115*高785*深680mm | ||
炉体重量 | 管式炉：约80KG 自动混气柜：约90KG | ||
| 1. 混气柜特点及主要应用领域 气体质量流量控制器（流量计）Mass gas flow controller（meter）缩写为MFC(MFM)）是对气体的质量流量进行精密测量和控制的设备。 S500 质量流量控制器(流量计)特点： ☆耐压高及适用于真空条件下工作。低压降。工作压力范围宽，气体流量不因温度、压力的变化而变化。 ☆主体采用不锈钢（316L）结构，气密材料采用VITON、聚四氟乙烯等。适用于各种耐腐蚀性气体。线路板、阀体、弹簧片、精密电阻和resistor等为重要零部件，均执行严格的入厂标准。 ☆具有精度高、重复性好、响应速度快、软启动、工作稳定可靠。 ☆可任意位置安装。电气操作控制显示，使用方便。易于与电气系统或自动控制系统配合。 ☆配合MT-60 系列流量积算仪，可对气体的瞬时流量和累积流量进行精确计量。 | ||
质量流量控制器(流量计)流量出厂通常用氮气(N2)标定。 质量流量单位为：mL/min（毫升/分钟）；(SCCM行业标准) L/min （升/分钟）。 (SLM行业标准) 标准状态为：温度----273.15K（0℃）； 气压----101325Pa(760mmHg)。 F. S(Full Scale):表示满量程值 | |||
流量规格 | （5,10,30,50,100,200,300,500）mL/min （1,2,3,5,10）L/min | ||
调节阀类型 | 电磁调节阀 | ||
调节阀静止状态 | 常闭 | ||
准确度 | ±1.5%F.S | ||
线性 | ±1.5%F.S | ||
重复精度 | ±0.2%F.S | ||
响应时间 | ≤4秒（T95） | ||
工作压差范围 | （50～300）kPa; （100～300）kPa(10L/min) | ||
耐压 | 3MPa | ||
工作环境温度 | （5～45）℃ | ||
材料 | 不锈钢316L | ||
标准密封材料 | VITON， EPDM， 或其他由用户指定 | ||
漏率 | 1×10-8Pa.m3/s | ||
接头 | Φ6mm～Φ10mm, 1/4″Swagelok。1/4″VCR。或其他由用户指定 | ||
输入输出信号 | （0～＋5.00）V (输入阻抗≥100KΩ,负载输出电流能力≤3mA) | ||
供电电源 | ±15V（±5%）（＋15V 50mA, －15V 200mA） | ||
外形尺寸mm | 127（宽）×102（高）×28（厚） | ||
重量kg | 0.8 | ||
控制系统 |
| 1、烧结工艺曲线设置：动态显示设置曲线，设备烧结可预存多条工艺曲线，每条工艺曲线可自由设置；2、可预约烧结，实现无人值守烧结工艺曲线烧结； 3、实时显示烧结功率电压等信息并记录烧结数据，并可导出实现无纸记录； 4、具有实现远程操控，实时观测设备状态； 5、温度校正：主控温度和试样温度的差值，烧结全程进行非线性修正。 | |
| 预约烧结 |  | 优化设备利用率、保障烧结工艺稳定性、节省等待时间，实现高效有序的样品制备。 | |
| 可预设多组工艺程序 |  | 可预设多组实验专属温度程序、保障实验重复性与操作便捷性，支持工艺优化与数据追溯，适配团队协作与技术传承，大幅提升实验效率与设计灵活性。 | |
| 非线性温度补偿 |  | 通过算法非线性修正控温点与样品由于在温场中位置不同而产生的温度偏差，提升控制温度与样品温度的一致性、简化操作，提升实验数据准确。 | |
温度精度 | +/- 1℃ | ||
设备使用注意事项 | 1.设备炉膛温度≥300℃时，禁止打开炉膛，避免受到伤害； | ||
服务支持 | 1年质保，提供终身支持（保修范围内不包括易耗部件）。 | ||
1. 宽禁带半导体外延
SiC 单晶生长（PVT 法常归为 CVD 变种）：
在 2200℃（但高温CVD指 ≤1700℃的外延层生长）
6H-SiC / 4H-SiC 外延层：用于高压功率器件（MOSFET、肖特基二极管）；
GaN on SiC：
TMGa + NH₃ 在 1050–1100℃ 生长高质量 GaN，用于 5G 射频器件；
AlN 缓冲层：提升 GaN 晶体质量。
2. 超硬与耐磨涂层
金刚石薄膜：
CH₄/H₂ 在 800–1000℃（虽未达“高温”上限，但属高温CVD范畴）；
用于刀具、光学窗口、热沉；
立方氮化硼（c-BN）：
BCl₃ + NH₃ + H₂ 在 >1200℃ 制备，硬度仅次于金刚石；
TiC、CrN、HfC：
卤化物（TiCl₄）+ CH₄/H₂ 在 1000–1200℃ 沉积，用于航空发动机叶片防护。
3. 先进陶瓷与复合材料
SiC/Si₃N₄ CMCs 界面涂层：
在碳纤维表面沉积 PyC（热解碳）或 BN，提升韧性；
MAX 相合成（如 Ti₃SiC₂）：
TiCl₄ + SiCl₄ + CH₄ 在 1400℃反应，兼具金属与陶瓷特性。
4. 核能与航天材料
TRISO 燃料颗粒包覆：
在 UO₂ 核芯上依次沉积 PyC / SiC / PyC 多层，1500℃下完成，阻挡裂变产物；
抗氧化涂层：
ZrB₂-SiC 复合材料表面沉积 SiC 层，用于高超音速飞行器前缘。
5. 二维材料与量子材料
h-BN 单晶：
BBr₃ + NH₃ 在 Cu/Ni 上 1100℃ 生长，作为石墨烯的理想衬底；
MoS₂、WS₂ 外延：
MoO₃ + S 蒸气在 850–1000℃ 反应，获得高迁移率单层。
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