发布时间： 2024-06-17 浏览次数：2442
设备简介：三温区PECVD系统，即等离子体增强化学气相沉积（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD）系统，是一种先进的薄膜沉积技术，广泛应用于半导体工业、微电子、光电子、太阳能等领域。该系统通过射频电源将石英真空室内的气体转变为离子态，利用等离子体中的高能电子激活反应气体，使其在较低的温度下发生化学反应，从而在基材上沉积出所需的薄膜。
| 设备特点： 1、温度控制精准：三温区设计使得系统能够实现更精准的温度控制，满足不同材料和工艺对温度的需求。通过三个PID温度控制器，可以分别控制不同区域的温度，确保整个沉积过程在理想的温度范围内进行。 2、沉积速度快：相比传统的化学气相沉积（CVD）技术，PECVD系统具有更高的沉积速率。这主要得益于等离子体的作用，使得反应气体在较低的温度下就能发生化学反应，从而加快了沉积速度。 膜层均匀性好：通过射频电源的频率控制，可以精确调节所沉积薄膜的应力大小，从而保证膜层的均匀性和一致性。这种精确控制对于制备高质量、高性能的薄膜材料至关重要。 3、操作稳定性高：三温区PECVD系统采用先进的真空系统和多通道质子混气系统，确保了系统的稳定性和可靠性。在长时间运行过程中，系统能够保持稳定的沉积速率和膜层质量，满足大规模生产的需求。 4、应用广泛：该系统可广泛应用于生长纳米线、石墨烯及薄膜材料等领域。例如，在太阳能电池领域，PECVD技术被用于制备高质量的硅基薄膜太阳能电池；在微电子领域，PECVD技术被用于制备各种薄膜材料，如SiO2、SiNx等。 | |
规格型号① | NBD-PECVD1200-80T3D4ZY-150 | |
名称① | CVD系统 | |
供电电源 | 380V 50HZ | |
Tmax | 1200℃ | |
额定温度 | 1150℃ | |
触摸屏尺寸 | 7" | |
温区尺寸 | 200+200+200mm（三温三控） | |
加热额定功率 | 9KW | |
传感器类型 | K型热电偶 | |
炉管材质及尺寸 | 石英管Φ80*1400mm | |
推荐升温速率 | ≤10/min | |
机械泵抽气速率 | 6立方米每小时 KF25 | |
炉腔极限真空度 | 3~5Pa 配数显真空计 | |
进气系统 | 四路质量流量控制器100sccm 200sccm 500sccm 500sccm | |
炉体外形尺寸 | 长1488*高1275*深760mm | |
规格型号② | RF-500W | |
名称② | 等离子发生器 | |
射频频率 | 13.56MHz | |
射频功率输出范围 | 0-500W可调 | |
外形尺寸 | 长275mm×高380mm×深430mm | |
射频功率 | 500W | |
控制系统 |
| 1、烧结工艺曲线设置：动态显示设置曲线，设备烧结可预存多条工艺曲线，每条工艺曲线可自由设置； 2、可预约烧结，实现无人值守烧结工艺曲线烧结； 3、实时显示烧结功率电压等信息并记录烧结数据，并可导出实现无纸记录； 4、具有实现远程操控，实时观测设备状态； 5、温度校正：主控温度和试样温度的差值，烧结全程进行非线性修正 |
| 预约烧结 |  | 优化设备利用率、保障烧结工艺稳定性、节省等待时间，实现高效有序的样品制备 |
| 20组工艺曲线设置 |  | 可预设多类实验专属温度程序、保障实验重复性与操作便捷性，支持工艺优化与数据追溯，适配团队协作与技术传承，大幅提升实验效率与设计灵活性。 |
| 实验数据存储 |  | 保障数据安全完整、规范化管理与高效检索 |
| 非线性温度修正 |  | 通过算法非线性修正控温点与样品由于在温场中位置不同而产生的温度偏差，提升控制温度与样品温度的一致性、简化操作，提升实验数据准确。 |
| 远程操作 |  | 可通过电脑、手机等终端，随时随地登录控制系统查看加热炉运行状态（温度、压力、升温速率等），并根据实验需求远程调整参数、启动 / 暂停程序。夜间或节假日无需往返实验室，即可应对实验过程中的参数微调需求；跨地域出差时也能实时监控关键实验进程，大幅减少无效通勤时间，让科研人员更高效地分配工作精力。 |
温度精度 | ±1℃ | |
压力测量与监控 |
| 采用机械压力表，表外壳为气密型结构，能有效保护内部机件免受环境影响和杂物侵入，同时具有较强的耐腐蚀和耐高温的能力。 |
供气系统 |
| 采用浮子流量计控制气体流速，与设备一体化，且出厂前已进行漏气测试工作。 |
设备细节 |
|
|
可选配 （CRB升级型尾气净化器） |
| 本公司研制的NBD-B型外延炉尾气净化器，在结构上综合采用了2个喷洗室和1个填料柱室，洗涤器所产生的负压由人工手动控制，补水系统由人工根据工艺情况调节。水溶性气体的清除率高达 99.99％。净化效率最高、维护最方便，运行成本最低。 |
PECVD+CRB升级型尾气净化器应用 |
| |
净重 | 280kg | |
设备使用注意事项 | 1、设备炉膛温度≥300℃时，禁止打开炉膛，避免受到伤害； 2、设备使用时，炉管内压力不得超过0.125MPa（绝对压力），以防止压力过大造成设备损坏； 3、真空下使用时，设备使用温度不得超过800℃。 4、供气钢瓶内部气压较高，向炉管内通入气体时，气瓶上必须安装减压阀，建议在选购试验用小压力减压阀，减压阀量程为0.01MPa-0.15MPa,使用时会更加精确安全。 5、当炉体温度高于1000℃时，炉管内不可处于真空状态，炉管内的气压需和大气压 相当，保持在常压状态； 6、高纯石英管的长时间使用温度≦1100℃ 7、加热的实验时，不建议关闭炉管法兰端的抽气阀和进气阀使用。若需要关闭气阀对样品加热，则需时刻关注压力表的示数，绝对压力表读数不要大于0.15MPa，必须立刻打开排气端阀门，以防意外发生（如炉 管破裂，法兰飞出等）。 | |
服务支持 | 一年有限保修，提供终身支持（保修范围内不包括易耗部件，例如处理管和O形圈，请在下面的相关产品处订购更换件。） | |
由于出厂批次不准，设备参数依据实物为准。
免责声明：本站产品介绍内容（包括产品图片、产品描述、技术参数等），仅供参考。可能由于更新不及时，或许导致所述内容与实际情况存在一定的差异，请与本公司客服人员联系确认。本站提供的信息不构成任何要约或承诺，诺巴迪公司不定期完善和修改网站任何信息，恕不另行通知
PECVD（等离子体增强化学气相沉积）是低温、高质量、大面积、共形薄膜沉积的核心技术，广泛应用于半导体、光伏、显示、MEMS、光学、生物医疗、汽车与工业防护等高端制造领域。
一、半导体与集成电路（最核心应用）
介电层沉积：SiO₂、SiNₓ、SiON 作为层间介质（ILD）、金属间介质（IMD）、栅极绝缘层、硬掩模。
钝化与防护：SiNₓ 钝化层，阻隔水汽、离子，提升芯片可靠性。
先进封装：TSV（硅通孔）绝缘、重布线层（RDL）介质、晶圆级封装（WLP）保护层。
特色：200–400℃低温，兼容铝 / 铜互连与敏感结构。
晶硅电池：沉积 SiNₓ:H 减反 + 钝化层，提升转换效率、抗 PID。
薄膜电池：非晶硅（a-Si:H）、微晶硅、CdTe、CIGS 吸光层 / 窗口层 / 缓冲层。
钙钛矿电池：低温沉积电子 / 空穴传输层、封装阻隔层。
TFT-LCD：a-Si:H 沟道层、SiNₓ/SiO₂ 栅绝缘 / 钝化、平坦化层。
OLED/Micro-LED：SiNₓ、Al₂O₃ 薄膜封装（TFE），阻隔水氧、延长寿命。
透明导电与光学：TCO（如 ITO）、增透 / 抗反射膜、彩色滤光片保护层。
结构层 / 牺牲层：低应力 SiNₓ、SiO₂ 用于悬臂梁、微镜、压力 / 加速度传感器。
封装与防护：真空 / 气密封装、抗腐蚀 / 抗磨损涂层。
压电 / 声学器件：压电薄膜（如 AlN）沉积。
光学元件：增透膜、高反膜、滤光膜、DLC（类金刚石）耐磨 / 抗刮涂层。
激光 / 光通信：波导、VCSEL 钝化、滤波器、耦合器介质膜。
汽车激光雷达 / 摄像头：防水雾、耐候、抗反射涂层。
植入物：DLC、TiN、SiC 涂层，提升生物相容性、降低摩擦 / 排异。
医用耗材：导管 / 支架抗凝血、抗菌、耐蚀涂层。
微流控 / 生物传感器：功能化涂层，提升检测灵敏度与稳定性。
机械部件：发动机、轴承、刀具沉积 DLC 低摩擦 / 耐磨涂层，延寿。
电子电控：ECU、传感器纳米级防潮 / 防盐雾 / 绝缘涂层。
燃料电池：双极板导电 / 耐腐蚀涂层，降低接触电阻。
柔性基板：在 PI、PET 等塑料上低温沉积绝缘 / 导电 / 封装层。
印刷电子：薄膜晶体管、柔性传感器、可穿戴器件功能层。
量子器件 / 二维材料：低温沉积封装与钝化层。
淘宝店铺
拼多多店铺
微信公众号
豫ICP备10201478号-1
Copyright © 2025 诺巴迪材料科技有限公司 版权所有
